RGP10ME-E3/73
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10ME-E3/73
| Artikelnummer: | RGP10ME-E3/73 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10ME-E3/73 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments RGP10ME-E3/73.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3 V @ 1 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 1000 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse DO-204AL (DO-41) Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie SUPERECTIFIER® Rückwärts-Erholzeit (Trr) 500 ns Verpackung / Gehäuse DO-204AL, DO-41, Axial Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Cut Tape (CT) Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C Befestigungsart Through Hole Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 µA @ 1000 V Strom - Richt (Io) 1A Kapazität @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz Grundproduktnummer RGP10 RGP10ME-E3/73 Einzelheiten PDF [English] RGP10ME-E3/73 PDF - EN.pdf -
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